Freilaufdiode und MOSFET IRF820 IRF840 (PSU Längsregler)

Bei der Anwendung ist mir nicht ganz klar wofür es die Diode überhaupt braucht. Jedoch würde ich eher Bipolartransistoren für Längsregler verwenden. Mosfet sind eigentlich nicht unbedingt für diesen Betrieb gedacht, gehen tut das natürlich solange man die SOA einhält.
Aber zur Frage: Ich sehe keinen Grund wieso es in der Anwendung nicht gehen sollte!

Hi Cero08,

Danke für die Antwort ! Hier mal die gesamte Schaltung ... Kernstück ist der LR8 (High-Input Voltage, Adjustable, 3-Terminal, Linear Regulator). Das Datenblatt gibt es hier.



Die Diode über dem MOSFET ist eigentlich dazu gedacht, selbigen vor einer Entladespannung des Ausgangselkos zu schützen, um zu verhindern das U_DS negativ wird. Das sollte in der Schaltungskonstellation wegen der gewählten Kapazitäten zwar nicht auftreten aber in den meisten Schaltungen ist die Diode enthalten und sie schadet ja nicht und kostet kaum etwas.
Würde aber der MOSFET IRF820 schon eine solche Diode mit integriert haben, würde ich diese aber gern auch weglassen.

Was Du in Bezug auf Bipolartransistor vs. MOSFET schreibst ist interessant. Ich dachte bislang immer ein MOSFET wäre besser, aber sehr viel Erfahrung mit dem Aufbau von PSU habe ich nicht, daher lasse ich mich hier gern belehren. Einen TIP50 hätte ich auch noch hier, also wenn dieser bessere Regeleigenschaften hätte, würde ich diesen einsetzen.

Da ich die Schaltung hier schon mal eingestellt habe auch noch eine Frage ... Gibt es sonst noch etwas zu bemängeln ? Insbesondere an dem kleinen Elko (4,7 µF) zwischen dem Ausgang der LR8 und Masse. Ich erhoffe mir durch diesen ein (wenn auch nur kurzes) "langsameres" Hochfahren der Ausgangsspannung. In einer solchen Konstellation habe ich bisweilen im Netz noch keine Schaltung mit dem LR8 gefunden, daher die Frage.

Vielen Dank für weitere Antworten und viele Grüße
Steffen

Prinzipiell geht natürlich beides. Ein Mosfet braucht stationär quasi keinen Strom zum ansteuern. Das ist erstmal ein Vorteil, jedoch macht das die Schaltung etwas empfindlicher. Gehen wird beides, generell mache ich jedoch in Linearnetzteilen immer bessere Erfahrungen mit Bipolartransistoren. Da diese ja im Bereich des Maximalstroms eine sehr Begrenzte Stromverstärkung haben hat man automatisch einen stark begrenzten Kurzschlusstrom da ja der Basisstrom auch begrenzt ist (hier durch den Regler auf <30mA).

Am Ende sind halt viele Bipolartransistoren für den Linearbetrieb gemacht, Mosfet zum Schalten. Mosfet nehme ich nur wenn ich extrem wenig drop brauche, z.B. bei LED-Versorgungen aus einer LiFePO4-Zelle...da sind nur 100-200mV Spannungsfall möglich weshalb Linearregler dort sogar sehr effizient sind.

Die Diode übern Fet kannst Du Dir sparen, nur beim Bipolartransistor macht man die rein weil der eben rückwärts sperrt. Besser als ne 1N4007 ist die Diode im Fet sowieso allemal

Hi Cero08,

Danke für Erklärung.

Ich habe Google auch noch mal mit den passenden Suchwörtern "gefüttert" und bei längerem Lesen finden sich einige Quellen, die auch eher zu Bipolar-Transistoren als Längsregler raten, wegen der von Dir angesprochenen Aspekte. Der IRF820, den ich mir "ausgeguckt" hatte, scheint zwar auch für Linearbetrieb spezifiziert zu sein, aber ich nehme dann doch besser den TIP50, auch weil ich bei der Anodenspannung eher das Gegenteil von Low-Drop brauche, der Längsregler kann / soll hier schon zweistellige Voltzahlen "verbraten".

Viele Grüße
Steffen