Prinzipfrage: Röhre/Halbleiter

Ja, funktioniert.
Warum niedriger Spannungsbereich?
Mit 2 Spannungen geht es doch auch (eine für die Röhre, eine für die Transis)

mfG

Hm, ja, das klingt gut.
Wie würde das funktionieren?
Also kann man an den Emitterfolge eine so große Spannung anlegen?
Wird wahrscheinlich vom Transistortyp abhängen?
Eine ECC82 würde man ja üblicherweise irgendwo bei 280-300V betreiben, klar ginge es auch tiefer...
Gibts schon Schaltungen dazu im Netz? Könnte mir jmd bei der Dimensionierung helfen?
Danke...
Grüße

Wo ist denn das Problem? Die 300V liegen doch nur an der Röhre an und nicht an der nachfolgenden Endstufe...

Du musst einfach nur den Röhrenteil für sich dimensionieren
und dann den Transistorteil.
Oder auch andersherum
Und dann am Ende zusammenführen, schon geht's
mfG

Pimok schrieb:

Wo ist denn das Problem? Die 300V liegen doch nur an der Röhre an und nicht an der nachfolgenden Endstufe...

Ach ja, DC wird ja sowieso ausgekoppelt, da bleiben von den 300 eh nur mehr der gewollte Spannungshub über ... Stimmt :-)
Ok, Triodenstufe dimensionieren kann ich. Ich hab einige Artikel und Websites zu Emitterfolgern gelesen und verstehe sie aber nicht richtig.
Wie dimensioniert man den Emitterwiderstand?
Grüße
Joe

Ich hätte noch eine Frage bezüglich des AusgangskoppelCs bei einem Emitterfolger.
Hab gerade einen Emitterfolger simuliert und sehe dass die untere Halbwelle abgeschnitten ist hinter dem KoppelC. Woran liegt das? Muss die Zeitkonstante des RC-Gliedes KoppelC-LastR sein!?
Grüße
Joe

Das liegt daran, dass du den Sourcefolger (wenns ein MOSFET ist) bei zu geringem (keinem) Ruhestrom betreibst. (Ferndiagnose, wahrscheinlichste Erklärung)

Ein Transistor kann (bezogen auf den Fall eines Source-/Emitter-Folgers) Strom immer nur in einer Richtung leiten, in der anderen sperrt er.

Der Ruhestrom durch den Sourcefolger muss mindestens so groß sein, wie der Strom, den der Lautsprecher maximal zieht, bei der Leistung die du anstrebst.

Ein Sourcefolger arbeitet prinzipbedingt immer in Class A und ist sehr ineffizient (max 50%). Für 10W maximale Spitzenausgangsnutzleistung musst du also dauernd weitere 10W extra verbraten.

(Deshalb findet man das Prinzip wohl auch häufiger bei Kopfhörerverstärkern, weil man da nicht so viel Leistung braucht.)

Literatur:
http://de.wikipedia.org/wiki/Emitterfolger#Emitterfolger
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0204133.htm

Hallo!
Danke für die Antworten, aber...
Die Literatur hab ich gelesen :-)
Nein, tu ich nicht. Ich habe (nur simuliert, PSPICE) eine Versorgungsspannung von 50V und eine Basisruhespannung von 25V.
Die Schaltung funktioniert. Abgesehen davon dass (logischerweise) eine Gleichspannung von eben 24,3V am Ausgang aufgtritt die ich nicht gut brauchen kann.
Also habe ich kurzer Hand einen KoppelC angeschlossen der mit dem Lastwiderstand allerdings ein RC-Glied bildet welches mir die untere Halbwelle weg"glättet".
Natürlich könnte ich den C einfach kleiner machen. Dann tritt allerdings die Hochpasswirkung und die Verstärkung sinkt unter 200Hz drastisch.
Was ist zu tun?
Grüße
Joe

Okay.
Ich habs jetzt (glaub ich).
Liegt (natürlich) nicht am KoppelC.
Die Halbwelle fehlt aber einer gewissen Spannung weil der Basisstrom auf 0 zurück geht.
Grüße

Sehr schön!

Hast du bei der Signalquelle, die die Ausgangsspannung deiner Röhrenstufe emuliert auch die Impedanz der Röhrenstufe mit berücksichtigt? (je nach Röhre und Dimensionierung etwa 10kOhm bis 50kOhm)

Hast du schonmal eine AC Analyse gemacht? Das wäre auch noch auf der Agenda, um den Frequenzgang zu überprüfen.

Denn der Ausgangskoppelkondensator bildet mit dem Lastwiderstand einen Hochpass. Ist C zu klein bei gegebenem LastR werden dir die tiefen Frequenzen abgeschnitten. (hängt nat davon ab wie tief du runterkommen möchtest)

Evtl. wären Screenshots deiner Simulationen (Schaltung, Ergebnisse, etc.) hilfreich.

Also in der Spannungsverstärkerstufe soll eine ECC82 arbeiten.
Diese hat bekanntlich 2 Triodensysteme in einem Kolben.
Ich möchte aber nicht je ein System für einen Kanal verwenden (Übersprechen).
Außerdem kann eine Triode sowieso nicht genug Strom um einen einstufigen Emitterfolger zu treiben.
Jetzt stellt sich mir die Frage: 2 Trioden parallel in Kathodenschaltung oder 1 System in Kathodenschaltung und ein System als Kathodenfolger oder gar nur ein System verwenden?
UND: Muss ich mir etwa gar keine Sorgen wegen dem Übersprechens machen?
Die Ausgangsimpedanz eines ECC82 Systems habe ich übrigens mit 7kOhm berechnet (Hochstromröhre).

Ich hätte gerne 10-15Hz untere Grenzfrequenz, eine Leistung von ca. 10W.

Die Simulation schieht folgendermaßen aus:
http://yfrog.com/iybild2cp
http://yfrog.com/izbild3sp
http://yfrog.com/j7bild1pp
http://yfrog.com/jobild4p

Danke!
Grüße
Joe

Ich nehme mal an, du hattest grade kein anderes Model parat, aber mit nem 2n2222 wirst du natürlich nicht sonderlich weit kommen.

Wenns denn unbedingt Bipolar sein soll, wirst du um eine Treiberstufe nicht umhin kommen. Dabei gibts verschiedene Möglichkeiten:
- Einen weiteren Emitterfolger vorschalten.
- Darlington
- Complementary Feedback Pair.

Ansonsten gibts natürlich immer noch die Option einen MOSFET statt eines Bipolartransistors zu verwenden.

Warum muss es unbedingt eine ECC82 sein?
Es gibt so schöne Röhren (elektrisch gesehen) für audio.

Die ECC81 ist von der Ausgangsimpedanz ähnlich der ECC82 hat aber mehr µ.

Eine ECC88 hat gar nur die halbe Ausgangsimpedanz einer ECC82 wesentlich mehr µ und ist wesentlich linearer

Nicht ganz so niederohmig wie die ECC88 aber dafür noch linearer - und mit nur einem System pro Glaskolben vielleicht genau was du suchst - ist die EC86.

Wenn du die zwei Systeme eines Kolben sinnvoll nutzen willst für einen Kanal, wäre Parallel schalten wohl die unproblematischste Variante.
Kathodenschaltung mit anschließendem Kathodenfolger ist schon etwas kniffliger.
Zickig könnte es mit SRPP werden, wäre aber von der Ausgangsimpedanz das niederohmigste

Ist mir alles bekannt :-)
Irgendwie wär mir MOSFET sogar lieber. Ich weiß nicht warum, aber wenn du mir beim Dimensionieren helfen kannst, würd ich gern auch einen MOSFET nehmen.
EC86 habe ich angedacht, aber ECC82 hätte ich gerade zur Hand.
Genau wie je 2 Stück BC249C und BC250C.

An SRPP wage ich mich ehrlich gesagt nicht heran.
Grüße

Joe_Fender schrieb:

Ist mir alles bekannt :-) Irgendwie wär mir MOSFET sogar lieber. Ich weiß nicht warum, aber wenn du mir beim Dimensionieren helfen kannst, würd ich gern auch einen MOSFET nehmen.

Ich muss dazusagen, ich habe leider im moment nicht alle zeit der welt. Ich kann mich daher nur auf ein Minimum an Hilfe beschränken.

EC86 habe ich angedacht, aber ECC82 hätte ich gerade zur Hand. Genau wie je 2 Stück BC249C und BC250C.

Gut, was man da hat, hat man da, grade bei Röhren

BC2xxx oder BD2xxx ?

Zuerst müsstest du an dem Spannungsfolger arbeiten. Mit einem einfachen Widerstand für den Pulldown wird es sehr unoptimal.
Der Ruhestrom muss noch größer sein als der maximalstrom durch den LS bei der gewünschten Nutzleistung, weil bei der Negativ-Auslenkung ja die Spannung über dem Pulldown-Widerstand sinkt und damit auch der Strom durch ihn (Ohm lässt grüßen).

Sagt dir "Konstantstromquelle" etwas?
Das bräuchtest du statt des Pulldown-Widerstandes um in die nähe der oben erwähnten 50% Wirkungsgrad zu kommen.

50V ist ein bischen viel für die Ausgangsstufe. Die hat so schon genug Verlustleistung. Wähle eine Spannung die gerade ausreicht, um die 10W in die 8Ohm last zu bekommen.

---

Der MOSFET hat den Charme, dass er die vorangeschaltete Stufe nur Kapazitiv belastet, sodass du die Röhrenstufe direkt einkoppeln kannst. Das reduziert den Aufwand.
Nachteil ist der geringere gm und damit höhere Verzerrung in der Ausgangsstufe. Das kann aber bei diesem System nicht wirklich das Kriterium sein, da der Klirr mit der Röhrenstufe sowieso schon beim Teufel ist.

Bei einem Bipolaren Ausgangstransistor musst du mit vorangeschalteten Treiberstufen die resistive Belastung - die leider noch dazu nichtlinear ist und damit zusätzliche verzerrungen erzeugt - der vorangeschalteten Stufe soweit reduzieren, dass nur noch die Verzerrungen durch den nichtlinearen gm des Ausgangstransistors relevant sind. Diese wären dann vorraussichtlich etwas geringer als bei einem MOSFET, aber der auffand ist eben größer.

krachkiste schrieb:

BC2xxx oder BD2xxx ?

BD2*** hätte ich da. Je zwei NPN und PNP.

krachkiste schrieb:

...Diese wären dann vorraussichtlich etwas geringer als bei einem MOSFET, aber der auffand ist eben größer.

Also prinzipiell ist mir möglichst geringer Aufwand am liebsten solang halt noch etwas brauchbares dabei rauskommt.

Somit denke ich wäre MOSFET mit einem zweiten MOSFET als Stromsenke (heißt doch so!?) am besten...
Danke schon mal bis jetzt!!
Grüße

Joe_Fender schrieb:

Also prinzipiell ist mir möglichst geringer Aufwand am liebsten solang halt noch etwas brauchbares dabei rauskommt.

Gut -> also MOSFET.

Somit denke ich wäre MOSFET mit einem zweiten MOSFET als Stromsenke am besten

Klingt vernünftig.

Wenn du einen Schaltplan entworfen hast, kannst du den ja hier verlinken - dann kann ich drüber schauen und dir sagen was ich davon halte.

(heißt doch so!?)

Kann man so nennen.

Ich persönlich finde diese Bezeichnung, bzw. genauer gesagt die Unterscheidung in Stromquelle und Stromsenke etwas unsinnig, da ich dadurch keinerlei Zusatzinformation gewinne.

Es sind letztlich zwei Worte für die selbe Sache.
Und um zu wissen in welcher Richtung die Stromquelle nun in der Schaltung sitzt, muss ich eh in den Schaltplan gucken, oder aus Erfahrung die richtige Richtung annehmen, oder durch Überlegen die sinnvolle Richtung herausfinden.

Für mich gibts daher nur Stromquellen, genauso wie es für mich nur Spannungsquellen gibt.
(schonmal ne Spannungssenke gesehen? )

So?



Grüße

Nein.

Wie ist die Dimensionierung (Spannungen, Bauteilwerte).

Wo ist die Röhrenstufe, wie soll diese eingekoppelt werden?

Wie man den Widerstand unter dem zweiten FET in der Stromquelle dimensioniert weiß ich nicht weil mir nicht klar ist welche Spannung an ihm anliegen soll/muss/wird.
Vdd 21V bzw. 15V * 1,41.
Anodenspannung 320V.
Die Röhrenstufe sollte eine Verstärkung von ca. 16 haben.
Die beiden Widerstände am GateSpannungsteiler könnte ich doch noch viel größer wählen oder? Er ist ja praktisch unbelastet.
Damit würde dann auch die notwendige C des KoppelCs dramatisch sinken...
Grüße

EDIT:
Beim MOSFET hätte ich an einen IRF610 gedacht.
Bessere Vorschläge? Habe ehrlich gesagt keine Ahnung bez. Transistortypen!

Hast du das mal simuliert?

Joe_Fender schrieb:

Wie man den Widerstand unter dem zweiten FET in der Stromquelle dimensioniert weiß ich nicht weil mir nicht klar ist welche Spannung an ihm anliegen soll/muss/wird.

Anliegen soll die Spannung U=I_bias*R_unbenannt
Anliegen wird bei dieser Schaltung keine Spannung.
Versuche doch mal dieses Konzept für deine Zwecke zu adaptieren.

Vdd 21V bzw. 15V * 1,41.

das ist zu wenig. So kämst du an 8 Ohm auf maximal 7W.
Wenn du sagst, "das genügt mir" ist es natürlich ok.

Anodenspannung 320V. Die Röhrenstufe sollte eine Verstärkung von ca. 16 haben.

Die 68k am Gitter sind m.E.n. nicht besonders geschickt. Das mag bei Gitarrenverstärkern vielleicht ganz net klingen, aber für HiFi reichen da auch kleinere Werte, z.B. 1kOhm.

Die beiden Widerstände am GateSpannungsteiler könnte ich doch noch viel größer wählen oder? Er ist ja praktisch unbelastet.

Richtig, du könntest sie viel größer machen!

Im Moment belastest du den Ausgang deiner Röhrenstufe mit 500 Ohm. Das ist kleinsignalmäßig etwa so als würdest du als Anodenwiderstand 500 Ohm einsetzen.

Damit würde dann auch die notwendige C des KoppelCs dramatisch sinken...

Richtig.

Beim MOSFET hätte ich an einen IRF610 gedacht. Bessere Vorschläge? Habe ehrlich gesagt keine Ahnung bez. Transistortypen!

Der FET muss den nötigen Strom liefern können und sollte eine Gate-Drain-Kapazität von unter 500pF haben, sonst schneidet dir die die Höhen ab.
Schau dir dazu mal die Datenblätter zu folgenden Typenreihen an:
IRF5?0*
IRFZ?4*

krachkiste schrieb:

Anliegen soll die Spannung U=I_bias*R_unbenannt

R = U/I , mit
U ... Spannung am R und somit Spannung am Gate, also jene Spannung die laut Datenblatt den gewünschten Strom also Id fließen lässt?
I ... gewünschter I (Id) ?

krachkiste schrieb:

das ist zu wenig. So kämst du an 8 Ohm auf maximal 7W.

Habs nochmal gerechnet und nochmal das gleiche rausbekommen.
Jetzt seh ich dass ich den Faktor wurzel(2) nicht einbezogen hab.

Das macht dann 18V*1,41 Versorgungsspannung. 10 1/8 W.

Welchen FET soll ich als Stromquelle nehmen?
Egal solang er den Strom kann oder?
Grüße

EDIT: Jetzt erst sehe ich das Problem an meiner Schaltung.
Das Gate des "Stromquellen"FETs liegt an GND.
Also wird kein Strom durch den FET fließen.
Ich bräuchte einen Spannungsteiler.
Mit dem bekannten Strom der fließen soll, der daraus resultierenden Spannung am Teiler und dem Id der bei sich ergebender Ug fließt kann ich mir die Werte der beiden Rs ausrechnen!
Richtig so?

EDIT2: Ich glaub ich verstehs doch nciht :-D

Wir nähern uns.

Hast du den Link verfolgt, den ich in meinem letzten Post versteckt habe?

Mit U meinte ich die Spannung über dem Widerstand.

Die "Gemeinheit" ist, dass du zwei Parameter hast die du frei wählen kannst um den nötigen Ruhestrom zu erzielen. Den Widerstand und die Spannung.
Du hast also einen Freiheitsgrad, entlang dem du dich für einen Punkt entscheiden musst. Die Wahl diese Punktes wird von Kriterien bestimmt, die durch die gewünschte Funktion der Schaltung gegeben sind.

Zum Transistortyp.
Ich würde mich einfach für einen Typen entscheiden, und den dann an beiden Stellen einsetzen.
Natürlich könnte der Stromquellentransistor auch ein anderer sein, tut aber nicht wirklich not.

Ok. Ich glaub ich habs kapiert.
Jetzt wirft sich natürlich eine neue Frage auf.
Irgendwie steh ich ob der Wahl des Ruhestromes aufm Schlauch.
Ruhespannung am Gate ist klar.
Muss um max. Aussteuerbarkeit zu erhalten die halbe Versorgungsspannung betragen.
Und der Ruhestrom?

Was glaubst du Verstanden zu haben? Es wird nicht ganz klar.

Die Ruhespannung an welchem der beiden Gates? Wirklich am Gate?

zum Ruhestrom.
Hast du folgende Aussage schon augewertet?

krachkiste schrieb:

Der Ruhestrom durch den Sourcefolger muss mindestens so groß sein, wie der Strom, den der Lautsprecher maximal zieht, bei der Leistung die du anstrebst.

krachkiste schrieb:

Die Ruhespannung an welchem der beiden Gates?

Am Gate des oberen FET; am Gate des FET der als Sourcefolger arbeitet.

Ich habe knapp 25,5V und möchte 10W erhalten.
P=U*I -> I >= 0,4A * 1,41 = 0,564 also lieber 0,6A.

http://www.elektroniktutor.de/analog/i_konst.html

Hier steht eine Formel für den Widerstand Rs.
Mein Rl ist doch der obere FET oder?
Irgendwie findet man im Inet sehr gegensätzliche Beschreibungen zur FET-Stromquelle...
Grüße

Oh, ich glaube jetzt wird´s mir klar :-D
Ich hoffe diesmal wirds was!

Es geht um die Gate-Source-Spannung.
Sie lässt einen bestimmten Drain-Storm fließen (Datenblatt)
Je höher der Drainstrom und somit Strom durch den Widerstand, desto negativer wird das Gate gegenüber der Source.
Somit sinkt der Drain-Storm -> Regelkreis
Die Formel Rs=-Ugs/I stimmt also. Ob der Rl oben oder unten ist, ist also egal.

Wenn der Ruhestrom von 0,6A stimmt, müsste dieser Strom ein Ugs für den IRF530 von 3,8-3,9V ergeben.
Rs = -Ugs/I -> 6,3Ohm. 5,6Ohm sind besser als 6,8 oder?

Grüße

Es gilt Zwar P=U*I
dennoch muss man die richtigen Us und Is einsetzen.

es Gilt auch P=I²*R.
bzw. P = 1/2 * I²*R, wenn wir einen sinunsförmigen Strom betrachten.
Hier kann man für R den Lastwiderstand (8 Ohm) einsetzen und für P die Zielleistung von 10W. Das ganze nach I aufgelöst ergibt dann:

I = sqrt(2P/R) = sqrt(2*10/8 A²) = sqrt(2.5) A = 1.58A

Hast du dir den Link, den ich in meinen letzten beiden Posts propagiert habe - und nun schon wieder - nun inzwischen einmal angesehen?

Sprich mit mir und sag was du tust, sonst kann ich dir nicht wirklich helfen.

Zur Gatespannung:
Dir ist bewusst, dass um den MOSFET überhaupt ein bischen zum leiten zu bewegen eine gewisse Gate-Source-Spannung von Gate nach Source (Schwellspannung, threshold voltage, U_th) nötig ist.

Der Ausgang des Sourcefolgers sollte in etwa auf der halben U_b liegen, um nach beiden Seiten maximal auslenken zu können.
Dieser Bedingung muss sich die Gatespannung beugen, und letztlich so eingestellt werden, dass die Bedingung am Ausgang erfüllt ist.
Du könntest also z.B. ein Poti einplanen, um das in der fertigen Schaltung so einstellen zu können.


PS:
Dir ist klar, dass ein MOSFET kein JFET ist?

Den Link hab ich mir angesehen nachdem du ihn das erste mal gepostet hast.
Ich bin keiner von denen die um Hilfe bitten und sie dann nicht annehmen!

Der Ruhestrom muss min. so groß sein wie der max. Ausgangsstrom.
Der max. Ausgangsstrom ergibt sich aus P = I^2 * R.
I = sqrt(P/R) -> I = sqrt(10W/8Ohm) = 1,25A
Allerdings ist der Spitzenstrom gesucht, nicht der eff. Strom, deshalb 1,25A * 1,41 = 1,58A. Gebongt :-)

Gatespannung:
Der FET muss immer leitend bleiben.
Das bedeutet selbst wenn die niedrigste (höchste negative) Eingangsspannung anliegt, muss die Spannung am Gate immer noch höher als Uth sein.
Im DB des IRF530 ist eine Schwellspannung von 2-4V angegeben.
Das bedeutet ich muss im Gatespannungsteiler ein Poti vorsehen um genau die niedrigstmögliche Gatevorspannung einzustellen (groß genug um über Uth zu bleiben, so klein wie möglich um den Austeuerbarkeitsbereich groß zu halten).
Ist das richtig?

Joe_Fender schrieb:

Den Link hab ich mir angesehen nachdem du ihn das erste mal gepostet hast. Ich bin keiner von denen die um Hilfe bitten und sie dann nicht annehmen!

Schön, dann sag doch mal, ob du damit was anfangen konntest/angefangen hast.
Wie sieht z.B. deine Schaltung mit der Stromquelle im Moment aus?

Gatespannung: Der FET muss immer leitend bleiben.

für den angestrebten Betrieb, ja.

Das bedeutet selbst wenn die niedrigste (höchste negative) Eingangsspannung anliegt, muss die Spannung am Gate immer noch höher als Uth sein.

Was ist denn die niedrigste Eingangsspannung, bei der der FET noch leitet, insbesondere wenn die Nennlast von 8 Ohm angehängt ist?
Wie an oder aus der FET ist, hängt von dem Strom I_d ab. Ist der 0 ist der Transistor aus und die U_gs<=U_th (N-Kanal)

Im DB des IRF530 ist eine Schwellspannung von 2-4V angegeben.

jip.

Das bedeutet ich muss im Gatespannungsteiler ein Poti vorsehen um genau die niedrigstmögliche Gatevorspannung einzustellen(groß genug um über Uth zu bleiben, so klein wie möglich um den Austeuerbarkeitsbereich groß zu halten). Ist das richtig?

Ja und nein.
Es ist nicht ganz falsch aber ich habe den Eindruck du hast nicht richtig verstanden, was da passiert.

Der Ruhestrom ist konstant (1.6A, Stromquelle)!
Daraus folgt, ohne Wechselsignal ist der Strom durch den (oberen) als Sourcefolger geschalteten FET auch konstant, nämlich genau der Strom durch den Stromquellenzweig plus dem Strom durch den LS (kirchhof, knotenregel), der in Ruhe aber natürlich 0 ist, wegen des KoppelC.
Nachdem die Übertragungsfunktion von U_gs nach Id für Id>0 eindeutig ist, gibt es immer genau eine U_gs für einen bestimmten I_d. Ist also I_d konstant, ist auch U_gs konstant. Und zwar (fast) völlig unabhängig (vernachlässigbare Abhängigkeit) davon welche Spannung von Gate nach Masse anliegt, solange nicht die Stromquelle aus ihrem Arbeitsbereich fällt und einen anderen Strom zieht, oder der SourcefolgerFET aus der Sättigung fällt (U_ds gegen 0V).

Diese beiden Grenzen (Stromquelle kann nicht mehr arbeiten, SourcefolgerFET aus Sättigung) bestimmen (in etwa) die minimale und die maximale Ausgangsspannung.
Geht man von einem symmetrischen Signal aus, erreicht man die größtmögliche Amplitude am Ausgang, wenn der Gleichanteil des Signals (hier die Ruhespannung) gleich dem arithmetischen Mittel aus der minimalmöglichen und der maximalmöglichen Spannung am Ausgang entspricht.

krachkiste schrieb:

Schön, dann sag doch mal, ob du damit was anfangen konntest/angefangen hast. Wie sieht z.B. deine Schaltung mit der Stromquelle im Moment aus?

Nein, konnte ich nicht wirklich.
War die Schaltung auf mikrocontroller.net für einen JFET.
War da plötzlich ein Spannungsteiler an der Source statt einem Widerstand gegen Masse + Gate auf Masse.
Diese Variante erschien mir logisch (je größer der strom desto negativer das Gate gegenü. Source, Regelkreis, usw, hatten wir ja schon).
Deshalb sieht meine Schaltung momentan (ohne poti) genau so aus wie vorhin.
Genau wie im Link den ich gepostet hab mit nur einem R.

Der Ruhestrom ist konstant (1.6A, Stromquelle)! Daraus folgt, ohne Wechselsignal ist der Strom durch den (oberen) als Sourcefolger geschalteten FET auch konstant, nämlich genau der Strom durch den Stromquellenzweig plus dem Strom durch den LS (kirchhof, knotenregel), der in Ruhe aber natürlich 0 ist, wegen des KoppelC. Nachdem die Übertragungsfunktion von U_gs nach Id für Id>0 eindeutig ist, gibt es immer genau eine U_gs für einen bestimmten I_d. Ist also I_d konstant, ist auch U_gs konstant. Und zwar (fast) völlig unabhängig (vernachlässigbare Abhängigkeit) davon welche Spannung von Gate nach Masse anliegt, solange nicht die Stromquelle aus ihrem Arbeitsbereich fällt und einen anderen Strom zieht, oder der SourcefolgerFET aus der Sättigung fällt (U_ds gegen 0V).

Klar. Klingt logisch.
Allerdings verstehe ich nicht wie ich das jetzt auf die Schaltung anwenden soll. Sprich, mir ist nicht klar worauf du damit hinauswillst (sry, bin wohl ziemlich anstrengend, aber irgendwas an dieser Schaltung will mir nicht einleuchten).
Grüße

Joe_Fender schrieb:

krachkiste schrieb: Schön, dann sag doch mal, ob du damit was anfangen konntest/angefangen hast. Wie sieht z.B. deine Schaltung mit der Stromquelle im Moment aus? Nein, konnte ich nicht wirklich.

Und wieso sagst du das nicht?

War die Schaltung auf mikrocontroller.net für einen JFET. War da plötzlich ein Spannungsteiler an der Source statt einem Widerstand gegen Masse + Gate auf Masse. Diese Variante erschien mir logisch (je größer der strom desto negativer das Gate gegenü. Source, Regelkreis, usw, hatten wir ja schon). Deshalb sieht meine Schaltung momentan (ohne poti) genau so aus wie vorhin. Genau wie im Link den ich gepostet hab mit nur einem R.

Man sieht immer nur das, was man sehen will
Vergessen du musst was früher du gelernt (wieso gibts hier keinen Yoda-Smiley)

Aber schon sehe ich was schief gelaufen ist!
Ich hatte eigentlich den Link so kopiert, dass er dich auf dieser Seite direkt zur "Konstantstromquelle mit Bipolarem Transistor" führt, damit du dich damit vertraut machst und überlegst, wie du dieses Konzept für deine Zwecke adaptieren kannst, und ob du es einsetzen möchtest, und wenn nicht, was du dann machen willst.
Und dann kannst du dich generell noch auf der ganzen Seite umschauen

Der link scheint aber offenbar nicht so zu funktionieren wie ich mir das gedacht hatte.

Ich frage dich nocheinmal, ob dir der Unterschied zwischen JFETs und MOSFETs klar und bewusst ist.

Klar. Klingt logisch. Allerdings verstehe ich nicht wie ich das jetzt auf die Schaltung anwenden soll. Sprich, mir ist nicht klar worauf du damit hinauswillst (sry, bin wohl ziemlich anstrengend, aber irgendwas an dieser Schaltung will mir nicht einleuchten). Grüße

Neues lernen und verstehen ist eben anstrenged und irgendwann frustrierend, weil man meint, nicht mehr weiter zu kommen und kein Licht am Ende des Tunnels sieht. Das ist aber ein Zeichen dafür, dass man den Rand seines momentanen Verständnishorizonts erreicht hat, sodass man sich dort nach neuen Erkenntnissen umschauen kann, um ihn zu erweitern.

Versuche konkrete Fragen zu formulieren (Was ist dir an meinen Ausführungen nicht klar / Was verstehst du nicht).

Was soll dir jemand auf die Frage "das verstehe ich nicht" antworten?
Ich könnte dir meine Lösung hinklatschen, aber ich bezweifle, dass es dadurch klarer wird. (da mag ich mich natürlich irren, aber das Lösung-hinschmeißen bleibt für mich trotzdem die letzte Option)
(die Lösungen die ich dir hinschmeißen könnte sind übrigens prinzipiell auch im Netz zu finden)

Hi!
Entschuldige das lange Schweigen!

krachkiste schrieb:

Ich könnte dir meine Lösung hinklatschen, aber ich bezweifle, dass es dadurch klarer wird. (da mag ich mich natürlich irren, aber das Lösung-hinschmeißen bleibt für mich trotzdem die letzte Option) (die Lösungen die ich dir hinschmeißen könnte sind übrigens prinzipiell auch im Netz zu finden)

Das will ich natürlich nicht!
1. Versteh ich´s dann nicht (und ich will ja Audio-Elektronik bauen damit es "meine" Elektronik ist (Wenn mir jmd anders die Lösung vorgibt kann ich mir gleich das fertige Ding kaufen! imho...)
2. Was mach ich bei der nächsten Stromquelle? :-)

Find super wie du mir weiterhilfst!
Danke dir!

Werd jz mal fleißig theorie für JFET und MOSFET anschauen (scheint mir was entscheidendes entgangen zu sein) und auch die Bipolar-Transen-Stromquelle und dann poste ich die nächsten Fragen! :-)

Grüße
Joe

Klingt sehr vernünftig.

Weiter so!

Okay. Wikipedia gelesen, Bipolar-Stromquelle studiert.
Im Prinzip geht es doch immer darum den Strom durch Rückkopplung konstant zu halten, Regelkreis eben.
MOSFET:
Um eine KONSTANT-Stromquelle mit einem MOSFET realisieren zu können muss dieser im Sättigungsbetrieb sein.
Da laut Ausgangskennlinienfeld für eine Gate-Source-Spannung ab der Schwellspannung Uth der Strom Ids proportional zur Gate-Source-Spannung Ugs ist und praktisch unabhänging von der Source-Drain-Spannung Uds.
Man muss also gewährleisten, dass Ugs mit steigendem Ids sinkt, dann hat man einen Regelkreis, der Strom dürfte sich auf einen bestimmten Wert einpendeln.
Wichtig ist dass man nicht aus dem Sättigungsbereich Uds>Uth fällt, ansonsten wird Ids auch abhängig von Uds, was wir ja nicht wollen.
Wie bekommen wir die Rückkopplung hin?
Das Potential am Gate gegenü. Source negativer zu machen bedeutet doch das gleiche wie das Potential an der Source gegenü. dem Gate positiver zu machen.
Wenn ich also die Source über einen Widerstand an Masse schließe und das Gate direkt an Masse, sinkt Ugs mit steigendem Strom durch den Widestand welcher ja Ids entspricht.
Blöderweise ist Ugs dann negativ.
Außer man spannt das Gate vor.
Allerdings scheint mir wiederhole ich mich nur.
Scheinbar fehlt immer noch etwas! Oder?

Joe_Fender schrieb:

Okay. Wikipedia gelesen, Bipolar-Stromquelle studiert.

Der Link wäre interessant, dann weiß ich was da drinn steht (und was evtl. nicht)...

Im Prinzip geht es doch immer darum den Strom durch Rückkopplung konstant zu halten, Regelkreis eben.

Genau.
Es geht darum den Strom konstant zu halten, und mit Rückkoplung wirds wesentlich besser.

MOSFET: Um eine KONSTANT-Stromquelle mit einem MOSFET realisieren zu können muss dieser im Sättigungsbetrieb sein.

Mit Regelung funktioniert das ganze auch noch im Triodenbereich des FETs (deutlich besser als ohne Regelung), aber natürlich längst nicht so gut wie mit Regelung im Sättigungsbereich, deswegen hatte ich auch das "fallen aus der Sättigung" als Grenze für den Aussteuerbereich definiert (ist natürlich reine Willkür).

Da laut Ausgangskennlinienfeld für eine Gate-Source-Spannung ab der Schwellspannung Uth der Strom Ids proportional zur Gate-Source-Spannung Ugs ist und praktisch unabhänging von der Source-Drain-Spannung Uds. Man muss also gewährleisten, dass Ugs mit steigendem Ids sinkt, dann hat man einen Regelkreis, der Strom dürfte sich auf einen bestimmten Wert einpendeln. Wichtig ist dass man nicht aus dem Sättigungsbereich Uds>Uth fällt, ansonsten wird Ids auch abhängig von Uds, was wir ja nicht wollen. Wie bekommen wir die Rückkopplung hin? Das Potential am Gate gegenü. Source negativer zu machen bedeutet doch das gleiche wie das Potential an der Source gegenü. dem Gate positiver zu machen. Wenn ich also die Source über einen Widerstand an Masse schließe und das Gate direkt an Masse, sinkt Ugs mit steigendem Strom durch den Widestand welcher ja Ids entspricht. Blöderweise ist Ugs dann negativ. Außer man spannt das Gate vor. Allerdings scheint mir wiederhole ich mich nur. Scheinbar fehlt immer noch etwas! Oder?

Du hast das Prinzip einer Stromgegenkopplung (Widerstand von Source nach Masse, der Name hat nichts mit unseren Konstant-Stromquellen zu tun) richtig erkannt.

Auch richtig erkannt hast du, dass, wenn du das Gate an Masse anschließt und Source über einen Widerstand nach Masse verbindest, dann Ugs negativ ist, wenn der FET einen Strom leiten soll.

Nun eine entscheidende Frage: Was muss für U_th gelten, damit das möglich ist. (Ugs negativ & FET leitet)

Auch der Gedanke, das Gate vorzuspannen (nicht auf Masse zu legen) führt in eine richtige Richtung.

Schau dir nochmal die Stromquelle mit den zwei Bipolartransistoren aus dem Link von oben an.
"http://www.mikrocontroller.net/articles/Konstantstromquelle#Konstantstromquelle_mit_bipolarem_Transistor"

Wie ist in dieser Schaltung die Regelung realisiert.

krachkiste schrieb:

Nun eine entscheidende Frage: Was muss für U_th gelten, damit das möglich ist. (Ugs negativ & FET leitet)

Nun ja, wenn Ugs negativ ist und der FET leitet aber muss Uth auch negativ sein oder?
Also es muss ein PMOS sein oder?

Joe_Fender schrieb:

krachkiste schrieb: Nun eine entscheidende Frage: Was muss für U_th gelten, damit das möglich ist. (Ugs negativ & FET leitet) Nun ja, wenn Ugs negativ ist und der FET leitet aber muss Uth auch negativ sein oder?

exakt

Also es muss ein PMOS sein oder?

Falsche Schlussfolgerung. War wohl zu trivial die Frage?

Beim PMOS sind ALLE vorzeichen umgedreht, und nicht nur das der U_th. Sprich der PMOS leitet umso mehr je negativer seine Ugs ist. Der NMOS leitet umso weniger je negativer seine Ugs ist.

Ich nehme jetzt mal an, dass du inzwischen registriert hast, dass ein NJFET zwar eine negative U_th hat, aber dennoch umso mehr leitet, je positiver seine U_gs wird.
Beim NMOS ist das genau das gleiche nur eben mit positiver U_th.

Aber fixiere dich jetzt nicht zu sehr darauf.
Ich hatte ja noch andere Dinge angesprochen. Wie sieht es damit aus?

krachkiste schrieb:

Der Ruhestrom ist konstant (1.6A, Stromquelle)! Daraus folgt, ohne Wechselsignal ist der Strom durch den (oberen) als Sourcefolger geschalteten FET auch konstant, nämlich genau der Strom durch den Stromquellenzweig plus dem Strom durch den LS (kirchhof, knotenregel), der in Ruhe aber natürlich 0 ist, wegen des KoppelC. Nachdem die Übertragungsfunktion von U_gs nach Id für Id>0 eindeutig ist, gibt es immer genau eine U_gs für einen bestimmten I_d. Ist also I_d konstant, ist auch U_gs konstant. Und zwar (fast) völlig unabhängig (vernachlässigbare Abhängigkeit) davon welche Spannung von Gate nach Masse anliegt...

Das meinst du?
Wir brauchen also eine konstante U_gs da wir ja einen konstanten I_d haben (1.6A hier). Diese U_gs für unseren I_d kann ich aus dem Datenblatt ablesen.
Dürfte für den IRF530 ca. 4V betragen.
Ich muss also (um es nochmal zu wiederholen) gewehrleisten dass zwischen Gate und Source 4V anliegen, das Gate also 4V höher liegt als die Source (gaaaaaaanz langsam zum Mitdenken :-) ).
Aber wie krieg ich das hin?
Von Gate nach Masse wäre ja einfach ;-)
Grüße!

Naja, die Spannung, die über dem Widerstand von Source des StromquellenTs nach Masse abfällt kennst du ja.

Von Gate nach Masse sinds also die benötigte Ugs plus U=R*I.

Das mit den 4V kommt zwar in etwa hin, aber da kann man sich nicht drauf verlassen.
D.h. es muss in der gebauten Schaltung eingestellt werden.

Das kann man einmal händisch mit einem Poti machen.
Man es aber auch über eine Regelung einstellen. Und da sind wir wieder bei dem Link mit der Stromquelle mit BipTs

Das Gleiche, mit den 4V, gilt IN RUHE übrigens auch für den oberen FET, weil du damals nach der Bias-Einstellung für den oberen FET gefragt hattest. Darauf bezog sich eigentlich, was du zitiert hast, aber es gilt nat. für den StromquellenFET genauso, nur dass der halt immer denselben Strom zieht, und nicht nur in Ruhe.

Ich denke die Zeit ist reif, dass du dich an eine Überarbeitung deiner Schaltung machen kannst.

Nur so ne Zwischenfrage, die Röhrenstufe ist ok so?
Damit ich die abhaken und vll sogar aufbauen und testen kann...

Dass ich den 68k am Gitter bemängelt hab, hast du ja gesehen.

Ansonsten musst du wissen wie du das haben willst. Nimm das Datenblatt der Röhre zur Hand und dimensioniere die Stufe entsprechend.

Solls jetzt doch bloß ein System pro Kanal werden, oder wie sieht das aus.

Ach ja, genau!
Nun ja, im Prinzip wäre es mir egal, mach mir nur Sorgen wegen des Übersprechens bei einer Röhre für beide Kanäle.
Wie siehst du das?
Soll ich die Kanäle trennen oder ein System pro Kanal nehmen?

Zum Überarbeiten:
Ich bin mir immer noch nicht sicher ob ich weiß wie die Schaltung aussehen muss, von der Dimensionierung abgesehen!
Oder hast du eh vom Überarbeiten der Schaltung ansich gesrprochen?
Die Grundstruktur mit Sourcefolger und Stromquelle ist klar!
Allerdings nicht was an die Gates kommt!
Aber ich werd nochmal lesen was du gesagt hast vll kommts ja noch :-)

Joe_Fender schrieb:

Ach ja, genau! Nun ja, im Prinzip wäre es mir egal, mach mir nur Sorgen wegen des Übersprechens bei einer Röhre für beide Kanäle. Wie siehst du das? Soll ich die Kanäle trennen oder ein System pro Kanal nehmen?

Zum Übersprechen kann ich dir in dem Zusammenhang leider nichts aus eigener Erfahrung sagen.

Im Datenblatt sind die Kapazitäten der beiden Systeme gegeben, unter anderem auch die von Anode zu Anode.

Du kannst ja mal versuchen damit eine Abschätzung der Kopplung anzustellen.

Zum Überarbeiten: Ich bin mir immer noch nicht sicher ob ich weiß wie die Schaltung aussehen muss, von der Dimensionierung abgesehen! Oder hast du eh vom Überarbeiten der Schaltung ansich gesrprochen? Die Grundstruktur mit Sourcefolger und Stromquelle ist klar! Allerdings nicht was an die Gates kommt! Aber ich werd nochmal lesen was du gesagt hast vll kommts ja noch :-)

Ja gut, das meinte ich eigentlich, dass du dir die Verschaltung u.A. der Gates überlegst.

Überlege, was du für verschiedene Möglichkeiten hast und für welche du dich entscheidest und warum.

Zur Röhrenstufe:
Wenn ich diese aus 2 parallelen Trioden aufbauen will muss ich nur alle Widerstände halbieren?
Erschien für mich logisch da bei den gleichen Spannungen ja die doppelten Ströme fließen...
Grüße

Warum sind es die gleichen Spannungen?

Sorry, ich bin manchmal etwas kleinkarriert.

Deine Überlegung ist soweit richtig, aber nur unter der Vorraussetzung, dass alle Spannung auch tatsächlich gleich bleiben.

Aber hast du auch diese Prämisse überprüft.

(Ich muss ganz ehrlich sagen, ich muss auch grad ein bischen überlegen, wie man das richtig und sinnvoll begründen kann, weils einem eigentlich so selbstverständlich erscheint, dass man da nie drüber nachdenkt)

Die Verschaltung der Gates krieg ich nicht hin.
Ich komme nicht vom Gatespannungsteiler weg.

Der FET für die Stromquelle könnte doch ein JFET sein?
DANN könnte ich (negative U_th aber leitet besser je höher U_gs) das Gate an Masse hängen.
Die nötige U_gs kann ich dann leicht mit dem Sourcewiderstand einstellen.
(Aber irgendwie will ich das jetzt mit einem MOSFET hinkriegen, kann doch nicht so schwer sein!!!! )

Aber wie du gemeint hast dass ich die Gateruhespannungen mit einer Regelung einstellen kann check ich nicht.
Mir fällt keine andere Methode ein außer Spannungsteiler bzw. Z-Dioden.
Grüße

Joe_Fender schrieb:

Der FET für die Stromquelle könnte doch ein JFET sein?

Natürlich könnte es ein JFET sein.
Es könnte auch ein Depletion MOSFET sein (verhält sich in sachen Uth genauso wie ein JFET, ist aber auch ein MOSFET, nur ein anderer Typ. Der Typ MOSFET den wir hier verwenden ist Enhancement MOSFET).
Es könnte auch eine Röhre sein!

Schaltungstechnisch ist das egal, solange er/sie den Strom von 1.6A macht und bei genügend niedrieger Uds (Uak) in Sättigung geht, ähnlich wie bei dem MOSFET den du im Moment vorhast zu verwenden.

Es könnten auch jeweils mehrere Exemplare parallelgeschaltet sein.

Und wenn du einen JFET (oder einen depletion MOSFET oder eine Röhre) in deine Finger bekommst, der/die diese Anforderungen erfüllt, kann dich nichts und niemand davon abhalten ihn/sie zu verwenden.

DANN könnte ich (negative U_th aber leitet besser je höher U_gs) das Gate an Masse hängen. Die nötige U_gs kann ich dann leicht mit dem Sourcewiderstand einstellen.

Richtig. "leicht" - vielleicht.

(Aber irgendwie will ich das jetzt mit einem MOSFET hinkriegen, kann doch nicht so schwer sein!!!! )

sehr gut, immer schön verbeißen, dann wird das auch was.

Aber wie du gemeint hast, dass ich die Gateruhespannungen mit einer Regelung einstellen kann check ich nicht.

Du hast also die Stromquelle mit den zwei Bipolartransistoren nicht verstanden?

Ich habe nicht gesagt, dass du die Gateruhespannung des oberen FET mit einer Regelung einstellen sollst. (das wäre übrigens durchaus möglich, verstößt aber gegen den Wunsch, die Schaltung einfach (im Sinne von möglichst wenig komplex) zu halten.)

Schon gar nicht habe ich gesagt, dass du versuchen sollst Stromquellen Gatespannung und Sourcfolger Gatespannung mit ein und der selben Regelung gleichzeitig einzustellen. Das geht nämlich nicht, da du ja zwei Größen unabhängig voneinander regeln willst (Ausgangsruhespannung und Strom der Stromquelle).

Mir fällt keine andere Methode ein außer Spannungsteiler bzw. Z-Dioden. Grüße

Ich habe aber auch gesagt, du kannst die Gatespannung des StromquellenFET mit einem Spannungsteiler einstellen.
Es ist eine Lösung. Sie hat vor und nachteile, aber es ist eine Lösung. (Was die vor und nachteile sind, darfst du dir überlegen, wenn du die geregelte variante verstanden hast )

Zehnerdiode alleine ist prinzipiell das gleiche - es kommt eine Spannung ans Gate, ist aber nicht so gut, weil man vorher mit genug Sicherheit dimensionieren muss, dass die Schaltung mit allen Variationen der MOSFET Parameter trotzdem immer gleich Funktioniert. Eine solche Dimensionierung ist möglich, es kostet aber Aussteuerbereich bzw. mehr Verlustleistung bei gleichgehaltenem Aussteuerbereich (Betriebsspannung erhöheh).

Eine Kombination aus Zehnerdiode, die eine Stabile und von der Betriebsspannung unabhängige Spannung erzeugt, und einem Poti, das diese Spannung auf den richtigen Wert für die Gatespannung runterteilt wäre also sinnvoll, wenn man sich für die Potivariante entscheidet. So nutzt man die Vorteile der einen Möglichkeit ohne die Nachteile der jeweils anderen.

Du hast also die Stromquelle mit den zwei Bipolartransistoren nicht verstanden?

Ich war der Meinung ich hätte...
Ausgehend von der Schaltung in dem Link den du gepostet hast (mikrocontroller.net):
Wie schon da steht: Würde die Spannung über R1 0,7V erreichen, würde T2 durchschalten, logisch. Dadurch würde T2 die Basis von T1 von Vcc weg nach Masse ziehen, wodurch T1 wieder hochohmiger würde, wodurch die Spannung über R1 wieder sinken würde, und so weiter.
Das heißt über R1 stellt sich eine Spannung von ca. 0,7V ein.
Konstante Spannung bedeutet an einem konstanen WIderstand einen konstanen Strom.

Ich habe nicht gesagt, dass du die Gateruhespannung des oberen FET mit einer Regelung einstellen sollst. (das wäre übrigens durchaus möglich, verstößt aber gegen den Wunsch, die Schaltung einfach (im Sinne von möglichst wenig komplex) zu halten.)

Okay, dann hab ich dich eh nur falsch verstanden, also Spannungsteiler!?

Schon gar nicht habe ich gesagt, dass du versuchen sollst Stromquellen Gatespannung und Sourcfolger Gatespannung mit ein und der selben Regelung gleichzeitig einzustellen. Das geht nämlich nicht, da du ja zwei Größen unabhängig voneinander regeln willst (Ausgangsruhespannung und Strom der Stromquelle).

Da hast du mich falsch verstanden, DAS hatte ich nie vor

Zehnerdiode alleine ist prinzipiell das gleiche

Ist klar, deshalb hab ich auch nicht angenommen dass es das richtige ist!

Eine Kombination aus Zehnerdiode ... und einem Poti ... wäre also sinnvol

Klingt als gäbe es was besseres

Joe_Fender schrieb:

Ich war der Meinung ich hätte... Ausgehend von der Schaltung in dem Link den du gepostet hast (mikrocontroller.net): Wie schon da steht: Würde die Spannung über R1 0,7V erreichen, würde T2 durchschalten, logisch. Dadurch würde T2 die Basis von T1 von Vcc weg nach Masse ziehen, wodurch T1 wieder hochohmiger würde, wodurch die Spannung über R1 wieder sinken würde, und so weiter. Das heißt über R1 stellt sich eine Spannung von ca. 0,7V ein. Konstante Spannung bedeutet an einem konstanen WIderstand einen konstanen Strom.

Na also!
Und was hast du mit der Hausaufgabe gemacht, das Ganze für deine Zwecke (MOSFET) zu adaptieren?

Ich habe nicht gesagt, dass du die Gateruhespannung des oberen FET mit einer Regelung einstellen sollst. (das wäre übrigens durchaus möglich, verstößt aber gegen den Wunsch, die Schaltung einfach (im Sinne von möglichst wenig komplex) zu halten.) Okay, dann hab ich dich eh nur falsch verstanden, also Spannungsteiler!?

Für den oberen FET bleibt, wenn eine Regelung ausgeschlossen ist, kaum was anderes.
Das Prinzip ist ja letztlich, dein AC-Signal auf ein bestimmtes DC-Potential zu beziehen.
Wo du das richtige DC-Potential herbekommst bleibt dir überlassen. Ein Poti ist eine Möglichkeit dieses zu erzeugen. Nicht die einzige. Die Lösung muss auch nicht entweder aus einem Poti oder etwas anderem bestehen, sondern kann natürlich auch eine Kombination sein.

Eine Kombination aus Zehnerdiode ... und einem Poti ... wäre also sinnvol Klingt als gäbe es was besseres ;)

Es kommt immer drauf an in welcher hinsicht "besser". Ich habe bereits darauf hingewiesen, dass diese Lösung Vor- und Nachteile hat.
Je nachdem was man erreichen will kann eine Eigenschaft ein Vorteil oder auch ein Nachteil sein.

Eine andere Lösung bedient sich einer Regelung wie du sie dir bei der Stromquelle mit den zwei Bipolartransistoren angesehen hast.
Und wenn du deine Hausaufgabe gemacht hast, sollte dir eigentlich ein Licht aufgehen. (so langsam wärs mal an der Zeit )